CDM22011-600LRFP SL
/MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm
CDM22011-600LRFP SL的规格信息
制造商:Central Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220FP-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:11 A
Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:23.05 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:UltraMOS
封装:Tube
系列:CDM
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Central Semiconductor
下降时间:23 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:27 ns
工厂包装数量:700
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:37 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:6 g
CDM22011-600LRFP SL
CDM22011-600LRFP SL的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | CDM22011-600LRFP SL | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm | 1:¥16.3624 10:¥14.5205 100:¥11.6051 500:¥10.2152
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